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研究新闻

成功合成零磁化半金属

一个研究小组成功合成了一种“半金属”材料, 实现了追求零磁化的罕见壮举.

半金属可以极大地提高电子设备的性能. 这是由于它们100%的自旋极化, 这使得它们在一个自旋方向上像金属一样运动, 另一个是绝缘体/半导体.

大多数成功的半金属都是铁磁性的, 这意味着它们的自旋排列是对齐的.

反铁磁性类半金属, 自旋在哪里是反平行的, 是可取的,因为没有磁场杂散场可以干扰它-即使集成在高密度.

铁磁中磁矩的自旋排列, 反铁磁性的, 以及铁磁性材料. ©Rie Umetsu

迄今为止,只报道了两种反铁磁性类半金属.

遵循开发指导方针, 该研究小组创造了一种由铁组成的化合物, 铬, 和硫. 这种新材料在低温下完全失去了磁性.

“所研制的半金属材料具有优异的性能, 材料开发指南在全球十大堵博靠谱平台的成功中发挥了关键作用,Semboshi说, 论文合著者,日本推荐全球最大网堵正规平台材料研究所(IMR)教授.

一般铁磁体和半金属铁磁体的电子态和电荷流. ©Rie Umetsu

同事兼合著者Rie Umetsu补充道, “全球十大堵博靠谱平台相信这些结果将提高未来材料研究的效率,加速电子设备的创新."

他们的研究细节发表在2022年6月23日的《全球十大堵博靠谱平台》杂志上.

(左)采用反铁磁性(全补偿铁磁性)半金属(左)和常规TMR多层膜(右)的隧道磁阻(TMR)多层膜示意图. 在后者中, 几层, 包括铁磁层和反铁磁层, 钉住铁磁层磁矩的方向. 用一层反铁磁性的半金属取代这几层, 实现了高特性和低漏磁场, 并实现高密度. ©Rie Umetsu
出版的细节:

题目:一种新型半金属全补偿铁氧体
作者:年代. Semboshi R. Y. Umetsu Y. Kawahito & H. 雅佳
期刊:科学报告
DOI: 10.1038/s41598-022-14561-8

新闻稿(日文)

联系人:

Satoshi Semboshi
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电子邮件:satoshi.semboshi.c8东北.ac.jp

Rie Umetsu
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电子邮件:rie.umetsuimr.东北.ac.jp
网站: http://www.crdam.imr.arrest-record-search.com/en/index-en.html

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